Wikiknihy

Praktická elektronika/FET Tranzistory: Porovnání verzí

Interaktivně procházet historii
← Porovnání se starší verzíPorovnání s novější verzí →
Smazaný obsah Přidaný obsah
VizuálníWikitext
m Editace uživatele „78.108.97.25“ (diskuse) vráceny do předchozího stavu, jehož autorem je „JAnDbot“
m Robot: kosmetické úpravy
Řádek 8:
* vystupuje z '''source''' "S".
 
{{Poznámka|1=Je to podobné jako u [[Praktická_elektronikaPraktická elektronika/BJT_TranzistoryBJT Tranzistory|bipolárních tranzistorů]]: drain je zde jako kolektor, source jako emitor a gate jako báze. Na rozdíl od bipolárních tranzistorů (které jsou řízeny bázovým proudem) ale '''do gate nemusí téct žádný proud''', stačí napětí.}}
 
== Různé technologie ==
 
Rozlišujeme několik technologií, které se liší použitím. Z nejčastěji používaných jmenujme:
* '''MOSFET obohacovací typ''' - spíná při přiložení napětí (cca 3 V)
* '''MOSFET ochuzovací typ''' - vypíná při přiložení napětí
* '''J-FET''' se chová jako napětím řízený rezistor (používán zejm. pro zesilování)
* '''IGBT''' je kříženec, kde polem řízený tranzistor spíná proud do báze výkonového bipolárního tranzistoru
 
Aby to nebylo tak jednoduché, všechny tyto technologie se dají vyrábět '''v kladné a záporné variantě''' (podobně jako PNP a NPN u bipolárních tranzistorů). Nejčastěji se používají obohacovací FET '''s N-kanálem''', které spínají přiložením kladného napětí, najdeme ale i FET '''s P-kanálem'''.
Řádek 22:
== Praktická zapojení ==
 
Nejčastěji se asi setkáme s výkonovými obohacovacími n-kanálovými MOSFETy řady IRF630, IRF740.
 
[[Kategorie:Praktická elektronika|FET Tranzistory]]
Citováno z „https://cs.wikibooks.org/wiki/Praktická_elektronika/FET_Tranzistory“