Praktická elektronika/FET Tranzistory: Porovnání verzí

:''{{Pozn|obsah=Je to podobné jako u [[BJT_TranzistoryBJT|bipolárních tranzistorů]]: drain je zde jako kolektor, source jako emitor a gate jako báze. Na rozdíl od bipolárních tranzistorů (které jsou řízeny bázovým proudem) ale '''do gate nemusí téct žádný proud''', stačí napětí.''}}

Aby to nebylo tak jednoduché, všechny tyto technologie se dají vyrábět '''v kladné a záporné variantě''' (podobně jako PNP a NPN u bipolárních tranzistorů). ČastějiNejčastěji se používají obohacovací FET '''s N-kanálem''', které spínají přiložením kladného napětí, najdeme ale i FET '''s P-kanálem'''.